華為突然公布三個芯片、電池技術(shù)新專利

　　近日，華為三個新專利突然公布，芯片、電池技術(shù)均有新進展，情況是這樣的。

　　首先，華為公布了“芯片及其制備方法、電子設(shè)備”發(fā)明專利，該技術(shù)可以用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋導(dǎo)致裸芯片失效的問題。

　　據(jù)了解，華為之所以研發(fā)這項專利，可能是因為芯片在生產(chǎn)制造過程中，總是會出現(xiàn)不良芯片，這些芯片棄之可惜，但由于工藝等問題，又無法保證生產(chǎn)制造的芯片百分之百合格。

　　所以華為推出了用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋導(dǎo)致裸芯片失效的專利技術(shù)，一方面可能是為了解決芯片良品率問題，另外一方面可能用于補救那些制造存在問題的芯片。

　　其次，華為公布了名為 “光計算芯片、系統(tǒng)及數(shù)據(jù)處理技術(shù)”的發(fā)明專利，其主要涉及一種光計算芯片、系統(tǒng)及數(shù)據(jù)處理技術(shù)，這意味著華為在AI芯片方面將快速進步。

　　根據(jù)華為方面的信息可知，該光計算芯片相比微電子芯片更適合人工智能，而人工智能也是未來華為主要發(fā)展的方向。

　　尤其是華為手機業(yè)務(wù)受到影響后，華為已經(jīng)重點轉(zhuǎn)向云計算和AI等領(lǐng)域內(nèi)，還將余承東負責(zé)云計算等業(yè)務(wù)，就是希望華為云服務(wù)以及AI技術(shù)能夠快速發(fā)展。

　　最后，華為公布了“硅碳復(fù)合材料及其制備方法和鋰離子電池”發(fā)明專利，其主要是提供一種硅碳復(fù)合材料，包括內(nèi)核和包覆在內(nèi)核表面的碳層，可延長電池使用壽命。

　　都知道，現(xiàn)在的智能手機電池都不耐用，輕度使用者一天一充，重度使用者，則是半天一充，雖然現(xiàn)在的快充技術(shù)很快，幾十分鐘就可以將手機充滿電。

　　但電池頻繁充電放電，必然會影響電池容量和壽命，否則，蘋果也不會在IOS11系統(tǒng)中加入電池健康管理，通過降低性能來保護電池。

　　而華為公布的新技術(shù)專利，就是為了讓延長電池壽命，在多次充電放電的情況，也能夠使用更長時間。

　　也正是華為突然公布的這三項專利技術(shù)，才說芯片、電池技術(shù)均有新進展。對此你們怎么看，歡迎留言、點贊、分享。